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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 34 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 180 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 229 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 234 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP15N60L | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP15N60L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP15N60LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP15N60LPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET |
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| IRFP17N50L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) |
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| IRFP17N50L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP17N50LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP17N50LPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRFP17N50LS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) |
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| IRFP21N60L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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