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IRFP150VPBF

更新时间： 2024-01-11 08:51:34
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 170K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFP150VPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：46 A最大漏极电流 (ID)：46 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：230 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP150VPBF 数据手册

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PD - 95515  
IRFP150VPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 24mΩ  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 47A  
S
Description  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance  
per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known  
for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for  
use in a wide variety of applications.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications  
wherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices. TheTO-247  
is similar but superior to the earlier TO-218 packcage because of its isolated  
mounting hole.  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
46  
32  
A
230  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
140  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.91  
± 20  
28  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
20  
mJ  
V/ns  
5.8  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.1  
–––  
40  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.24  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
07/07/04  
12345678

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IRFP150VPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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