是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 150 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 34 A | 最大漏极电流 (ID): | 34 A |
最大漏源导通电阻: | 0.08 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 180 W | 最大功率耗散 (Abs): | 180 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 140 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 229 ns | 最大开启时间(吨): | 234 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP153 | IXYS |
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HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |
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IRFP153FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR |
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IRFP153R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-247 |
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IRFP15N60L | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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IRFP15N60L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFP15N60LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFP15N60LPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET |
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IRFP17N50L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) |
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IRFP17N50L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFP17N50LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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