是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-3PN |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 7.95 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 740 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 43 A | 最大漏极电流 (ID): | 43 A |
最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 193 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 170 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP150A_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFP150CF | NSC |
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IRFP150CF | |
IRFP150FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-218VAR | |
IRFP150MPBF | INFINEON |
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Advanced Process Technology, Dynamic dv/dt Rating | |
IRFP150N | FAIRCHILD |
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44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET | |
IRFP150N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A) | |
IRFP150NPBF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET | |
IRFP150PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFP150R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247 | |
IRFP150V | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |