IRFP150MPBF

更新时间： 2024-02-27 08:32:41

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	1147K
描述
Advanced Process Technology, Dynamic dv/dt Rating

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IRFP150MPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A	最大漏极电流 (ID)：	46 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD - 96291

IRFP150MPbF

Ω

• Lead-Free

www.irf.com

03/01/10

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP150N	FAIRCHILD	获取价格	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP150N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A)
IRFP150NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFETÂ® Power MOSFET
IRFP150PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP150R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 40A I(D) \| TO-247
IRFP150V	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP150VPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP151	IXYS	获取价格	HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
IRFP151FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 26A I(D) \| TO-218VAR
IRFP151R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 40A I(D) \| TO-247