| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.03 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 420 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 42 A | 最大漏极电流 (ID)： | 42 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.036 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP150N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A) |
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| IRFP150N | FAIRCHILD |
获取价格 |
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFP150NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFP150PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP150R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247 |
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| IRFP150V | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP150VPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP151 | IXYS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |
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| IRFP151FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR |
|
| IRFP151R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247 |
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