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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.69 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9210 | SEME-LAB |
功能相似  |
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
|
| IRFF9120 | INTERSIL |
功能相似 |
4A, 100V, 0.60 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9121 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF9122 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF9123 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 80V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF9130 | INTERSIL |
获取价格 |
-6.5A, -100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
|
| IRFF9130 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
|
| IRFF9130 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) |
|
| IRFF9130 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF9130 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF9130 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39 |
|
| IRFF9130_11 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
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