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IRFF9120

更新时间： 2024-01-03 07:18:36

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲高压高电压电源
页数	文件大小	规格书
2页	37K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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IRFF9120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.69 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFF9120 数据手册

2N6845

IRFF9120

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

P–CHANNEL

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

ENHANCEMENT MODE

HIGH VOLTAGE

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

POWER MOSFETS

0.89

(0.035)

max.

V_DSS

I_D(cont)

-100V

-4.0A

12.70

(0.500)

min.

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

Ω

R_DS(on)0.60

5.08 (0.200)

typ.

FEATURES

2.54

(0.100)

• HERMETICALLY SEALED TO–39 METAL

PACKAGE

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• LIGHTWEIGHT

45°

• SCREENING OPTIONS AVAILABLE

TO–39 (TO-205AF) METAL PACKAGE

PIN1 – Source

PIN 2 – Gate

PIN 3 – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

20V

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

(V = 0 , T

= 25°C)

-4.0A

-2.6A

case

(V = 0 , T

= 100°C)

Pulsed Drain Current

-16A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

20 W

Linear Derating Factor

0.16 W/°C

–55 to 150°C

300°C

T , T

Operating and Storage Temperature Range

stg

Package Mounting Surface Temperature (for 5 sec)

Thermal Resistance Junction to Case

6.25°C/W

θJC

Notes

1) Repetitive Rating – Pulse width limited by maximum junction temperature.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 5748

Issue 2

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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IRFF9120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFF9210	SEME-LAB	功能相似	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39
IRFF9120	INTERSIL	功能相似	4A, 100V, 0.60 Ohm, P-Channel Power MOSFET

与IRFF9120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF9121	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-205AF
IRFF9122	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF9123	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 80V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFF9130	INTERSIL	获取价格	-6.5A, -100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFF9130	SEME-LAB	获取价格	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39
IRFF9130	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)
IRFF9130	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFF9130	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFF9130	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
IRFF9130_11	SEME-LAB	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFET

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