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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9132 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF9132 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9132 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF9133 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF9133 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 80V 6.5A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9133 | RENESAS |
获取价格 |
5.5A, 80V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9133 | ROCHESTER |
获取价格 |
6.5A, 80V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9133 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF9210 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9210 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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