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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 0.242 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 110 ns | 最大开启时间（吨）： | 110 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFF120R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF121 | GE | N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors |
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| IRFF121 | ROCHESTER | 6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF121R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF122 | GE | N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors |
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| IRFF122 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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