5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFF120
IRFF120 PDF预览

IRFF120

更新时间： 2024-01-17 19:48:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 134K
描述
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)

阅读下载

获取价格

IRFF120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.12其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：0.242 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.35 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：110 ns最大开启时间（吨）：110 ns
Base Number Matches：1

IRFF120 数据手册

 浏览型号IRFF120的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFF120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFF120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFF120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFF120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFF120的Datasheet PDF文件第7页 
IRFF120  
Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (Unless Otherwise Specified)  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
BV  
DSS  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
100  
—
—
—
—
V
V
= 0V, I = 1.0mA  
D
GS  
Reference to 25°C, I = 1.0mA  
∆BV  
/∆T  
Temperature Coefficient of Breakdown  
Voltage  
0.10  
V/°C  
DSS  
J
D
R
Static Drain-to-Source On-State  
Resistance  
—
—
—
—
—
—
—
—
0.30  
0.345  
4.0  
V
= 10V, I = 3.5A ➀  
DS(on)  
GS D  
Ω
V
=10V, I = 6.0A ➀  
D
GS  
V
Gate Threshold Voltage  
Forward Transconductance  
Zero Gate Voltage Drain Current  
2.0  
1.5  
—
V
V
= V , I = 250µA  
GS  
GS(th)  
DS  
D
Ω ( )  
g
fs  
—
S
V
> 15V, I = 3.5A ➀  
DS  
DS  
I
25  
V = 80V, V =0V  
DS GS  
DSS  
—
250  
µA  
V
= 80V  
DS  
= 0V, T = 125°C  
V
GS  
J
I
Gate-to-Source Leakage Forward  
Gate-to-Source Leakage Reverse  
Total Gate Charge  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0  
100  
-100  
17  
V
= 20V  
GSS  
GSS  
GS  
I
nA  
nC  
V
= -20V  
GS  
Q
Q
Q
7.7  
0.7  
2.0  
—
V
=10V, ID = 6.0A  
g
gs  
GS  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain (‘Miller’) Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
4.0  
7.7  
40  
V
= 50V  
DS  
gd  
d(on)  
r
t
t
V
DD  
= 50V, I = 6.0A,  
D
—
70  
R = 7.5Ω  
G
n s  
t
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
—
40  
d(off)  
t
—
70  
f
L
L
Total Inductance  
—
—
Measured from drain lead (6mm/0.25in. from  
package) to source lead (6mm/0.25in. from  
package)  
S +  
D
nH  
C
C
C
Input Capacitance  
—
—
—
350  
150  
24  
V
= 0V, V  
= 25V  
iss  
GS  
DS  
f = 1.0MHz  
Output Capacitance  
—
—
pF  
oss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance  
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
I
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulse Source Current (Body Diode) ➀  
Diode Forward Voltage  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.0  
24  
S
A
I
SM  
V
1.8  
240  
2.0  
V
nS  
µC  
T = 25°C, I =6.0A, V  
= 0V ➀  
j
SD  
S
GS  
t
Reverse Recovery Time  
T = 25°C, I = 6.0A, di/dt ≤ 100A/µs  
j
rr  
F
Q
Reverse Recovery Charge  
V
≤ 50V ➀  
RR  
DD  
t
Forward Turn-On Time  
Intrinsic turn-on time is negligible. Turn-on speed is substantially controlled by L + L .  
S D  
on  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
R
R
Junction-to-Case  
—
—
—
—
6.25  
175  
thJC  
thJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
Typical socket mount.  
Note: Corresponding Spice and Saber models are available on the G&S Website.  
For footnotes refer to the last page  
2
www.irf.com  
1234567

下载PDF

与IRFF120相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRFF120R ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF

获取价格
IRFF121 GE N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors

获取价格
IRFF121 ROCHESTER 6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

获取价格
IRFF121R ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF

获取价格
IRFF122 GE N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors

获取价格
IRFF122 VISHAY Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

获取价格

与IRFF120相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证