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IRF9910

更新时间： 2024-01-26 15:37:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体转换器晶体管开关脉冲光电二极管游戏游戏机服务器
页数 文件大小 规格书
10页 280K
描述
Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box

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IRF9910 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.12
雪崩能效等级（Eas）：33 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.0134 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：83 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9910 数据手册

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PD - 95869  
IRF9910  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
VDSS  
20V Q1  
Q2  
ID  
10A  
12A  
RDS(on) max  
13.4m @VGS = 10V  
l Dual SO-8 MOSFET for POL  
converters in desktop, servers,  
graphics cards, game consoles  
and set-top box  
9.3m @VGS = 10V  
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Low Gate Charge  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
l 20V VGS Max. Gate Rating  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Q1 Max.  
Q2 Max.  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
20  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TA = 25°C  
10  
8.3  
83  
12  
9.9  
98  
D
D
@ TA = 70°C  
A
DM  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
2.0  
1.3  
W
D
D
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.016  
-55 to + 150  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
RθJL  
RθJA  
–––  
62.5  
Notes  through ꢀ are on page 10  
www.irf.com  
1
04/28/04  
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IRF9910 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9910TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.0134ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF9910PBF INFINEON

类似代替

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IRF9910PBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.0134ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
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