5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9952
IRF9952 PDF预览

IRF9952

更新时间： 2024-02-06 22:25:34
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 136K
描述
Power MOSFET(Vdss=+-30V)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF9952 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：44 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9952 数据手册

 浏览型号IRF9952的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF9952的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF9952的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF9952的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF9952的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF9952的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 9.1561A  
IRF9952  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Very Low Gate Charge and  
Switching Losses  
N -C HA NN E L M O S F E T  
1
2
3
8
N-Ch P-Ch  
S1  
D1  
7
G 1  
D 1  
VDSS 30V -30V  
6
S2  
G2  
D2  
4
5
D 2  
P -CH A N N E L M O S F E T  
RDS(on) 0.10Ω 0.25Ω  
l Fully Avalanche Rated  
T o p V iew  
Recommended upgrade: IRF7309 or IRF7319  
Lower profile/smaller equivalent: IRF7509  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
SO-8  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devices can be used in an application with dramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Symbol  
Maximum  
P-Channel  
Units  
N-Channel  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
V
± 20  
TA = 25°C  
Continuous Drain Currentꢀ  
3.5  
2.8  
16  
-2.3  
-1.8  
-10  
ID  
TA = 70°C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
1.7  
-1.3  
TA = 25°C  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
PD  
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
44  
57  
mJ  
A
2.0  
-1.3  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.25  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
5.0  
-5.0  
V/ ns  
-55 to + 150 °C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
8/25/97  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRF9952 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7105TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
IRF9952TRPBF INFINEON

类似代替

 Generation V Technology
IRF7105PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRF9952相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9952PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF9952QPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF9952QPBF_10 INFINEON

获取价格

 		HEXFETPOWERMOSFET
IRF9952QTRPBF INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF9952TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
IRF9952TRPBF INFINEON

获取价格

 		Generation V Technology
IRF9953 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
IRF9953PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF9953TR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF9953TRPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述

与IRF9952相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证