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IRF9910PBF-1

更新时间： 2024-01-01 11:39:41

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Power Field-Effect Transistor

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IRF9910PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.28	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF9910PBF-1 数据手册

IRF9910PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}Q1

(@V_GS= 10V)

R_{DS(on) max}Q2

(@V_GS= 10V)

13.4

9.3

_{g (typical)}Q1

_{g (typical)}Q2

7.4

SO-8

I_{D @TA = 25°C)}Q1

(

_{D @TA = 25°C)}Q2

(

Applications

Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles

and set-top box

Features

Benefits

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

MSL1, Industrial qualification

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

Standard Pack

Form

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

Tube/Bulk

Tape and Reel

4000

IRF9910PbF-1

IRF9910TRPbF-1

IRF9910PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Q1 Max.

Q2 Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

8.3

9.9

@ T_A= 70°C

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.0

1.3

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.016

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θJL

R_θJA

–––

62.5

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November 22, 2013

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