IRF7726

更新时间： 2024-11-28 22:51:35

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9页	97K
描述
Power MOSFET(Vdss=-30V)

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IRF7726 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOIC-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.026 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7726 数据手册

PD -94064

IRF7726

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel MOSFET

l Very Small SOIC Package

l Low Profile (< 1.2mm)

l Available in Tape & Reel

V_DSS

-30V

R_DS(on)max

0.026@V_GS= -10V

0.040@V_GS= -4.5V

I_D

-7.0A

-6.0A

Description

HEXFET^®Power MOSFETs from International Recti-

fierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the ruggedized device design,

that International Rectifier is well known for, provides

the designer with an extremely efficient and reliable

device for battery and load management.

MICRO-8

The new Micro8 package, with half the footprint area

of the standard SO-8, provides the smallest footprint

available in an SOIC outline. This makes the Micro8

an ideal device for applications where printed circuit

boardspaceisatapremium. Thelowprofile(<1.2mm)

of the Micro8 will allow it to fit easily into extremely thin

application environments such as portable electronics

and PCMCIA cards.

Top View

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

-30

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-7.0

-5.7

-28

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

1.79

1.14

0.01

W/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

±20

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

www.irf.com

12/21/00

12 3 4 5 6 7...9

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IRF7726 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7726TRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与IRF7726相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7726PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7726TR	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF7726TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF7737L2TR1PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF7737L2TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF7738L2TR1PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF7739L1	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRF7739L1PBF	INFINEON	获取价格	Optimized for Synchronous Rectification
IRF7739L1PBF_15	INFINEON	获取价格	Optimized for Synchronous Rectification
IRF7739L1TR1PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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