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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF643-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF643-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF643-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF643R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB |
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| IRF644 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
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| IRF644 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRF644 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF644 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF644-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF644-018PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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