5秒后页面跳转
IRF621-006 PDF预览

IRF621-006

更新时间: 2024-11-13 08:08:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRF621-006 数据手册

  

与IRF621-006相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF621-006PBF INFINEON

获取价格

5.2A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF621-009PBF INFINEON

获取价格

5.2A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF621-010PBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF621-011 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF621-011PBF INFINEON

获取价格

5.2A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF621-013PBF INFINEON

获取价格

5.2A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF6215 INFINEON

获取价格

HEXFET?? Power MOSFET
IRF6215L INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRF6215LPBF INFINEON

获取价格

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.
IRF6215PBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢ Power MOSFET