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IRF621-011

更新时间: 2024-09-25 04:27:23
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRF621-011 数据手册

  

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