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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DPAK-3/2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.85 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 124 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 58 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0099 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 217 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF60B217 | INFINEON |
功能相似  |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF60SC241 | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s latest 60 V StrongIRFET??power MOS |
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| IRF610 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF610 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
|
| IRF610 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF610 | INTERSIL |
获取价格 |
3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRF610 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| IRF6100 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF610-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF610-006 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF610-012 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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