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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF610-024PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF610-029 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF610-029PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF6100PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF61016 | MOTOROLA |
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2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF610-613 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
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| IRF610A | MOTOROLA |
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2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF610A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRF610A16A | MOTOROLA |
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2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF610AF | MOTOROLA |
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2.5 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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