5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF610LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF610N | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF610PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF610PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF610R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| IRF610S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF610S | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF610S | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
|
| IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF610SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
