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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF610AJ | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF610AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF610B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRF610C | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF610CHP | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF610D1 | MOTOROLA |
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2.5 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF610F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF610FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IRF610FX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF610L | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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