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IRF610N

更新时间: 2024-10-03 09:28:51
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF610N 数据手册

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