5秒后页面跳转
IRF610S PDF预览

IRF610S

更新时间: 2024-11-24 18:45:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRF610S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.04Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):2.5 A
最大漏源导通电阻:1.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:20 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF610S 数据手册

 浏览型号IRF610S的Datasheet PDF文件第2页 

与IRF610S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRF610SPBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF610STRL VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF610STRRPBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF610T MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF610U MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF610U2 MOTOROLA

获取价格

2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF610UA MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF610W MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF610WC MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met