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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF610CHP | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF610D1 | MOTOROLA |
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2.5 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF610F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF610FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF610FX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF610L | MOTOROLA |
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2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF610LPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF610N | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF610PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF610PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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