5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | , |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.3 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF611-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF611-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF611-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
3.3A, 150V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF611-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
3.3A, 150V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF611-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
3.3A, 150V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF611-005 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF611-006 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF611-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
3.3A, 150V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF611-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF611-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
