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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 64 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF610-024 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF610-024PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF610-029 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF610-029PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF6100PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF61016 | MOTOROLA |
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2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF610-613 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
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| IRF610A | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF610A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRF610A16A | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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