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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF510S, SiHF510S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF510SPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF510SPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRLPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510T | MOTOROLA |
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4 A, 100 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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