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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF510STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510T | MOTOROLA |
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4 A, 100 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510U | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF510U2 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF510W | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510WC | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF511 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| IRF511 | HARRIS |
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4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF511 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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