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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF511-010PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-011 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-011PBF | INFINEON | 5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF511-012PBF | INFINEON | 5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF511-013 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-013PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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