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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF512-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF512-009PBF | INFINEON |
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4.9A, 100V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF512-010 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF512-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF512-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF512-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF512-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF512R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
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| IRF513 | HARRIS |
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4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF513 | TI |
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IRF513 |
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