5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF510W | MOTOROLA |
获取价格 |
4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF510WC | MOTOROLA |
获取价格 |
4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF511 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
| IRF511 | HARRIS |
获取价格 |
4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF511 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| IRF511 | TI |
获取价格 |
IRF511 |
|
| IRF511 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V |
|
| IRF511 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| IRF511-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF511-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
