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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF511-001PBF | INFINEON |
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5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF511-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-006 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF511-010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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