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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF510U2 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF510W | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510WC | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF511 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| IRF511 | HARRIS |
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4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF511 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRF511 | TI |
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IRF511 |
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| IRF511 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V |
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| IRF511 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| IRF511-001PBF | INFINEON |
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5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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