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IRF510SPBF

更新时间： 2024-11-25 20:02:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	187K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3

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IRF510SPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.53
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	186709	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	TO-263AB_3	Samacsys Released Date：	2015-04-13 16:59:37
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.6 A	最大漏极电流 (ID)：	5.6 A
最大漏源导通电阻：	0.54 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF510SPBF 数据手册

IRF510S, SiHF510S

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface mount

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)()

Q_gmax. (nC)

100

• Available in tape and reel

• Dynamic dV/dt rating

• Repetitive avalanche rated

• 175 °C operating temperature

• Fast switching

V_GS= 10 V

0.54

Available

8.3

2.3

_gs(nC)

_gd(nC)

Available

3.8

Configuration

Single

• Ease of paralleling

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

D²PAK (TO-263)

Note

This datasheet provides information about parts that are

RoHS-compliant and / or parts that are non-RoHS-compliant. For

example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.

Please see the information / tables in this datasheet for details.



DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It

provides the highest power capability and the lowest

possible on-resistance in any existing surface mount

package. The D²PAK (TO-263) is suitable for high current

applications because of its low internal connection

resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface

mount application.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHF510S-GE3

IRF510SPbF

D²PAK (TO-263)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHF510STRL-GE3 ^a

IRF510STRLPbF ^a

SiHF510STL-E3 ^a

SiHF510STRR-GE3 ^a

IRF510STRRPbF ^a

SiHF510STR-E3 ^a

Lead (Pb)-free

SiHF510S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMIT

100

UNIT

V_GS

T_C= 25 °C

T_C= 100 °C

5.6

4.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current ^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.29

0.025

5.6

4.3

W/°C

Linear Derating Factor (PCB mount) ^e

Single Pulse Avalanche Energy ^b

Avalanche Current ^a

E_AS

I_AR

E_AR

Repetitive Avalanche Energy ^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB mount) ^e

Peak Diode Recovery dV/dt ^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak temperature) ^d

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

3.7

5.5

P_D

V/ns

°C

dV/dt

T_J, T_stg

-55 to +175

300

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.8 mH, R_g= 25 , I_AS= 5.6 A (see fig. 12).

c. I_SD 5.6 A, dI/dt  75 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

S15-2693-Rev. D, 16-Nov-15

Document Number: 91016

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7 8

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与IRF510SPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF510STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF510STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF510STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF510STRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF510STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF510STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF510T	MOTOROLA	获取价格	4 A, 100 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF510U	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF510U2	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF510W	MOTOROLA	获取价格	4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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