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IRF3709ZCSTRR

更新时间： 2024-02-26 18:59:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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11页	124K
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Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF3709ZCSTRR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.0063 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF3709ZCSTRR 数据手册

IRF3709/3709S/3709L

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

Circuit Layout Considerations

• Low Stray Inductance

• Ground Plane

• Low Leakage Inductance

Current Transformer

D.U.T

R_G

• dv/dt controlled by R_G

• Driver same type as D.U.T.

• I_SDcontrolled by Duty Factor "D"

• D.U.T. - Device Under Test

V_DD

Driver Gate Drive

P.W.

Period

D =

=10V

D.U.T. I Waveform

Reverse

Recovery

Current

Body Diode Forward

Current

di/dt

D.U.T. V Waveform

Diode Recovery

dv/dt

Re-Applied

Voltage

Body Diode

Forward Drop

Inductor Curent

Ripple ≤ 5%

* V_GS= 5V for Logic Level Devices

Fig 14. For N-Channel HEXFET^®Power MOSFETs

www.irf.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF3709ZCSTRRP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF3709ZL	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZLTRL	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF3709ZLTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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