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IRF3707ZSTRRPBF

更新时间： 2024-01-27 05:16:18

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	376K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF3707ZSTRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRF3707ZSTRRPBF 数据手册

IRF3707Z/S/LPbF

TO-220AB Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

10.54 (.415)

10.29 (.405)

- B -

3.78 (.149)

3.54 (.139)

2.87 (.113)

2.62 (.103)

4.69 (.185)

4.20 (.165)

1.32 (.052)

1.22 (.048)

- A -

6.47 (.255)

6.10 (.240)

15.24 (.600)

14.84 (.584)

LEAD ASSIGNMENTS

1.15 (.045)

MIN

HEXFET

IGBTs, CoPACK

1 - GATE

2 - DRAIN

1- GATE

3 - SOURCE

1- GATE

2- DRAIN

3- SOURCE

2- COLLECTOR

3- EMITTER

4- COLLECTOR

4 - DRAIN

4- DRAIN

14.09 (.555)

13.47 (.530)

4.06 (.160)

3.55 (.140)

0.93 (.037)

0.69 (.027)

0.55 (.022)

0.46 (.018)

1.40 (.055)

1.15 (.045)

0.36 (.014)

B A M

2.92 (.115)

2.64 (.104)

2.54 (.100)

NOTES:

DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.

CONTROLLING DIMENSION : INCH

3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.

HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.

TO-220AB Part Marking Information

Note: "P" in assembly line

position indicates "Lead-Free"

Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/

www.irf.com

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