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IRF3707ZSTRRPBF

更新时间： 2024-02-17 16:27:19

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	376K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF3707ZSTRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRF3707ZSTRRPBF 数据手册

IRF3707Z/S/LPbF

15V

175

150

125

100

TOP

4.5A

6.8A

DRIVER

BOTTOM 23A

D.U.T

2V0_GV_S

Ω

0.01

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

(BR)DSS

100

125

150

175

Starting T , Junction Temperature (°C)

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

vs. Drain Current

L_D

V_DS

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

V_DD

D.U.T

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

V_GS

Pulse Width < 1µs

Duty Factor < 0.1%

50KΩ

.2µF

12V

.3µF

Fig 14a. Switching Time Test Circuit

V_DS

D.U.T.

90%

3mA

10%

V_GS

Current Sampling Resistors

t_d(on)

t_d(off)

t_r

t_f

Fig 13. Gate Charge Test Circuit

Fig 14b. Switching Time Waveforms

www.irf.com

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