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IRF3707ZSTRRPBF

更新时间： 2024-02-16 19:41:22

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	376K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF3707ZSTRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRF3707ZSTRRPBF 数据手册

IRF3707Z/S/LPbF

100000

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0.0

= 0V,

= C

f = 1 MHZ

= 17A

+ C , C

SHORTED

iss

= C

rss

oss

= C + C

= 24V

= 15V

10000

1000

100

iss

oss

rss

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

Total Gate Charge (nC)

Fig 6. Typical Gate Charge vs.

Fig 5. Typical Capacitance vs.

Gate-to-Source Voltage

Drain-to-Source Voltage

1000.00

100.00

10.00

1.00

1000

100

OPERATION IN THIS AREA

LIMITED BY R

(on)

= 175°C

100µsec

= 25°C

1msec

0.10

10msec

Tc = 25°C

Tj = 175°C

Single Pulse

= 0V

0.01

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

100

1000

, Source-to-Drain Voltage (V)

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

www.irf.com

1 2 345 6 7...12

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