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IRF200P223

更新时间： 2024-09-13 14:51:35

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英飞凌 - INFINEON		局域网 PC 开关脉冲晶体管电视
页数	文件大小	规格书
17页	1049K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC,

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IRF200P223 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	2.43
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1341392	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Transistor	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	PTVS14VS1UTR,115	Samacsys Released Date：	2019-09-18 11:45:55
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	541 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0115 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF200P223 数据手册

IRF200P223

IR MOSFET - StrongIRFET™

V_DSS

200V

R_{DS(on) typ.}

9.5m

11.5m

100A

Applications

max



UPS and Inverter applications

I_D

Half-bridge and full-bridge topologies

Resonant mode power supplies

DC/DC and AC/DC converters

OR-ing and redundant power switches

Brushed and BLDC Motor drive applications

Battery powered circuits

TO-247AC

IRF200P223

Benefits



Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

Gate

Drain

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability

Pb-Free ; RoHS Compliant ; Halogen-Free

Source

Standard Pack

Form

Base part number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

IRF200P223

TO-247AC

Tube

IRF200P223

120

100

= 60A

= 125°C

= 25°C

100

125

150

175

10 12 14 16 18 20

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Figure 1 Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

Figure 2 Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Final Datasheet

www.infineon.com

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V1.0

2017-02-27

12 3 4 5 6 7...17

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IRF220	SAMSUNG	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFETS
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