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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.86 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 693 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0169 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 417 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 312 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF2084PBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRF220 | INTERSIL |
获取价格 |
4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF220 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
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| IRF220 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF220 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF220-223 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
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| IRF2204 | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRF2204L | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRF2204LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = |
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| IRF2204PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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