IRF1010E

更新时间： 2024-11-17 22:33:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A

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IRF1010E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	320 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	170 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	330 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF1010E 数据手册

PD - 91670

IRF1010E

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

V_DSS= 60V

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

R_DS(on)= 12mΩ

l Fully Avalanche Rated

I_D= 84A

Description

AdvancedHEXFET^®PowerMOSFETsfromInternational

Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve

extremelylowon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

device design that HEXFET power MOSFETs are well

knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient

andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 watts. The low thermal

resistance and low package cost of the TO-220 contribute

to its wide acceptance throughout the industry.

TO-220AB

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

330

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

200

W/°C

Linear Derating Factor

1.4

V_GS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

± 20

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

V/ns

4.0

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

0.75

–––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

0.50

–––

°C/W

www.irf.com

3/16/01

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF1010EPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF1010ELPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1010ELTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010ELTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010EPBF	KERSEMI	获取价格	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
IRF1010EPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1010ES	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A
IRF1010ESL	ETC	获取价格
IRF1010ESPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1010ESTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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