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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1010E | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A |
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| IRF1010EL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A |
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| IRF1010ELPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF1010ELTRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF1010ELTRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF1010EPBF | KERSEMI |
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Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance |
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| IRF1010EPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF1010ES | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A |
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| IRF1010ESL | ETC |
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| IRF1010ESPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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