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IPUH6N03LB

更新时间: 2024-10-28 03:23:51
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 312K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPUH6N03LB 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-251AA包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):160 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.0093 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):83 W最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPUH6N03LB 数据手册

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IPUH6N03LB  
IPSH6N03LB  
9 Drain-source on-state resistance  
10 Typ. gate threshold voltage  
R
DS(on)=f(T j); I D=50 A; V GS=10 V  
V GS(th)=f(T j); V GS=V DS  
parameter: I D  
12  
11  
10  
9
2.5  
2
1.5  
1
8
400 µA  
98 %  
7
40 µA  
6
typ  
5
4
3
2
1
0
0.5  
0
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
-60  
-20  
20  
60  
T j [°C]  
100  
140  
180  
T j [°C]  
11 Typ. Capacitances  
12 Forward characteristics of reverse diode  
I F=f(V SD  
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz  
)
parameter: T j  
10000  
1000  
Ciss  
25 °C  
Coss  
1000  
100  
10  
100  
10  
175°C 98%  
175 °C  
Crss  
25°C 98%  
1
0
5
10  
15  
DS [V]  
20  
25  
30  
0.0  
0.5  
1.0  
SD [V]  
1.5  
2.0  
V
V
Rev. 0.3  
page 6  
2006-05-15  

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