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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPUH6N03LB
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IPUH6N03LB

更新时间： 2024-10-28 03:23:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 312K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPUH6N03LB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：160 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0093 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPUH6N03LB 数据手册

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IPUH6N03LB  
Values  
typ.  
IPSH6N03LB  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
min.  
max.  
Dynamic characteristics  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
C iss  
-
-
-
-
-
-
-
2100  
750  
97  
2800 pF  
1000  
V
GS=0 V, V DS=15 V,  
C oss  
Crss  
t d(on)  
t r  
f =1 MHz  
150  
7
10  
8
ns  
6
V
DD=15 V, V GS=10 V,  
I D=25 A, R G=2.7 Ω  
t d(off)  
t f  
Turn-off delay time  
Fall time  
25  
37  
6.0  
4.0  
Gate Charge Characteristics6)  
Gate to source charge  
Gate charge at threshold  
Gate to drain charge  
Switching charge  
Q gs  
-
-
-
-
-
-
6.5  
3.3  
4.2  
7.4  
16  
8.7  
4.5  
6.4  
11  
22  
-
nC  
Q g(th)  
Q gd  
V
V
DD=15 V, I D=25 A,  
GS=0 to 5 V  
Q sw  
Q g  
Gate charge total  
V plateau  
Gate plateau voltage  
3.1  
V
V
V
DS=0.1 V,  
Q g(sync)  
Q oss  
Gate charge total, sync. FET  
Output charge  
-
-
14  
17  
19  
22  
nC  
GS=0 to 5 V  
V
DD=15 V, V GS=0 V  
Reverse Diode  
I S  
Diode continous forward current  
Diode pulse current  
-
-
-
-
50  
A
T C=25 °C  
I S,pulse  
200  
V
GS=0 V, I F=50 A,  
V SD  
Q rr  
Diode forward voltage  
-
-
0.93  
-
1.2  
10  
V
T j=25 °C  
V R=15 V, I F=I S,  
di F/dt =400 A/µs  
Reverse recovery charge  
nC  
6) See figure 16 for gate charge parameter definition  
Rev. 0.3  
page 3  
2006-05-15  
1234567...10

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