IPUH6N03LB

更新时间： 2024-10-28 03:23:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPUH6N03LB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0093 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPUH6N03LB 数据手册

IPUH6N03LB

14 Typ. gate charge

_GS=f(Q _gate); I _D=25 A pulsed

IPSH6N03LB

13 Avalanche characteristics

_AS=f(t _AV); R _GS=25 Ω

parameter: T_j(start)

parameter: V _DD

100

15 V

20 V

25 °C

5 V

100 °C

150 °C

100

1000

_gate[nC]

_AV[µs]

15 Drain-source breakdown voltage

16 Gate charge waveforms

_BR(DSS)=f(T _j); I _D=1 mA

V _GS

Q _g

V _gs(th)

Q _g(th)

Q _sw

Q _gd

Q _gate

Q _gs

-60

-20

100

140

180

T _j[°C]

Rev. 0.3

page 7

2006-05-15

1...4 5 678 9 10

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