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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 16 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0136 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD70N04S3-07 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD70N04S307ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD70N10S3-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD70N10S312ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPD70N10S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD70N10S3L12ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPD70N12S3-11 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPD70N12S311ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPD70N12S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPD70N12S3L12ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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