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IPD70N12S3L12ATMA1

更新时间： 2024-09-27 20:52:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 344K
描述
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO252-3-11, 3/2 PIN

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IPD70N12S3L12ATMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：410 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：120 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.0152 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD70N12S3L12ATMA1 数据手册

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IPD70N12S3L-12  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
120  
11.5  
70  
V
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
Features  
• OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications  
PG-TO252-3-11  
• N-channel - Enhancement mode  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD70N12S3L-12  
PG-TO252-3-11 QN12L12  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
Continuous drain current  
70  
A
T C=100°C, VGS=10V1)  
48  
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25°C  
280  
410  
Avalanche energy, single pulse1)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=35A  
mJ  
A
I AS  
-
70  
VGS  
-
±20  
V
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
125  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2016-06-20  
1234567...9

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