5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPD70N12S311ATMA1
IPD70N12S311ATMA1 PDF预览

IPD70N12S311ATMA1

更新时间： 2024-02-02 23:40:37
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 346K
描述
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252-3-11, 3/2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPD70N12S311ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：5.75雪崩能效等级（Eas）：410 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：120 V最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.0111 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD70N12S311ATMA1 数据手册

 浏览型号IPD70N12S311ATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPD70N12S311ATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPD70N12S311ATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPD70N12S311ATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPD70N12S311ATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPD70N12S311ATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPD70N12S3-11  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
120  
11.1  
70  
V
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
Features  
• OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications  
PG-TO252-3-11  
• N-channel - Enhancement mode  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD70N12S3-11  
PG-TO252-3-11 QN1211  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
Continuous drain current  
70  
A
T C=100°C, VGS=10V1)  
48  
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25°C  
280  
410  
Avalanche energy, single pulse1)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=35A  
mJ  
A
I AS  
-
70  
VGS  
-
±20  
V
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
125  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2016-06-20  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IPD70N12S311ATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD70N12S3L-12 INFINEON

获取价格

 		车规级MOSFET
IPD70N12S3L12ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPD70P04P4-09 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD70P04P409ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD70P04P409ATMA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD70P04P4L-08 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD70P04P4L08ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD70P04P4L08ATMA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPD70R1K4CEAUMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD70R1K4P7S INFINEON

获取价格

 		顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结

与IPD70N12S311ATMA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证