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IPD60N10S4L-12

更新时间： 2023-09-03 20:38:32

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IPD60N10S4L-12 数据手册

IPD60N10S4L-12

9 Typ. gate threshold voltage

V _GS(th)= f(T _j); V _GS= V _DS

parameter: I _D

10 Typ. capacitances

C = f(V _DS); V _GS= 0 V; f = 1 MHz

2.5

10⁴

10³

10²

Ciss

460 µA

Coss

1.5

46 µA

0.5

Crss

10¹

-60

-20

T _j[°C]

100

140

180

V _DS[V]

11 Typical forward diode characteristicis

IF = f(V_SD

12 Avalanche characteristics

I _{A S}= f(t _AV

)

parameter: T _j

parameter: T_j(start)

10³

100

25 °C

150 °C

100 °C

10²

10¹

175 °C

25 °C

10⁰

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

100

1000

V _SD[V]

t _AV[µs]

Rev. 1.0

page 6

2011-11-30

1...3 4 567 8 9

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