Datasheet > IPD60N10S4L-12

IPD60N10S4L-12

更新时间： 2023-09-03 20:38:32

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	130K
描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD60N10S4L-12 数据手册

IPD60N10S4L-12

1 Power dissipation

2 Drain current

P _tot= f(T _C); V _GS≥ 6 V

I _D= f(T _C); V _GS≥ 6 V

100

150

200

100

150

200

T _C[°C]

3 Safe operating area

4 Max. transient thermal impedance

Z _thJC= f(t _p)

I _D= f(V _DS); T _C= 25 °C; D = 0

parameter: t _p

parameter: D =t _p/T

10¹

1000

100

1 µs

10⁰

0.5

10 µs

0.1

100 µs

10^-1

0.05

0.01

1 ms

single pulse

10^-2

10^-3

0.1

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

0.1

100

t _p[s]

V _DS[V]

Rev. 1.0

page 4

2011-11-30

1 2 345 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IPD60N10S4L-12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD60R145CFD7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPD60R145CFD7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPD60R170CFD7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPD60R170CFD7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD60R180C7	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPD60R180C7_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPD60R180CM8	INFINEON	获取价格	The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET fam
IPD60R180P7	ISC	获取价格	isc N-Channel MOSFET Transistor
IPD60R180P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R180P7_V01	ISC	获取价格	isc N-Channel MOSFET Transistor