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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 1.64 | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.053 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDD86252 | FAIRCHILD |
功能相似  |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 27 A, 5 |
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| FDD2572 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD530N15N3GBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD5N25S3-430 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPD600N25N3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| IPD600N25N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPD600N25N3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD600N25N3GBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD60N10S4-12 | INFINEON |
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? ? ? 仿真/SPICE 型号 |
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| IPD60N10S4L-12 | INFINEON |
获取价格 |
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| IPD60R145CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPD60R145CFD7ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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